TSMC odhalila na severoamerickém technologickém sympoziu 2025, že se očekává, že společnost ve druhé polovině letošního roku zahájí hromadnou výrobu čipů N2 (úroveň 2nm), což je její první produkční technologie, která se spoléhá na nanosheetové tranzistory Ring Gate (GAA).
Tento nový uzel bude podporovat řadu produktů, které budou spuštěny příští rok, včetně CPU AMD EPYC „Benátky“ pro datová centra a různých procesorů orientovaných na klienty, jako jsou čipy Apple 2025 pro chytré telefony, tablety a počítače.Díky Gafetu (okolní brány) a vylepšeným výkonem dosáhne nový uzel 2nm významné úspory energie a zlepší výkon a hustotu tranzistoru.Kromě toho se také očekává, že následující rok budou do výroby vloženy další procesní technologie A16 a N2P.
N2 je nová technologie procesu TSMC, která dosáhne takzvaného „úplného zlepšení uzlů“.Ve srovnání s N3E zlepší výkon o 10%až 15%, sníží spotřebu energie o 25%na 30%a zvýší hustotu tranzistoru o 15%.TSMC uvedla, že tranzistorový výkon N2 je blízko cíli, s průměrným výnosem více než 90% pro modul 256 MB SRAM, což naznačuje, že proces dosáhl zralé úrovně, protože N2 je postupně hromadně vyráběn.
N2 bude prvním uzlem TSMC pro přijetí tranzistorů GAA nanosheet.Vzhledem k bráně obklopující kanál 360 stupňů (tvarem kanálu N2 je více horizontálních nanosheet), očekává se, že tato technologie zlepší výkon a sníží únik.Tato struktura může maximalizovat elektrostatickou kontrolu kanálu, čímž minimalizuje velikost tranzistoru bez ovlivnění výkonu nebo spotřeby energie, což nakonec dosáhne vyšší hustoty tranzistoru.
Očekává se, že výrobní proces N2 TSMC vstoupí do hromadné výroby ve druhé polovině letošního roku a bude podporovat četné produkty spuštěné příští rok, včetně CPU AMD AMD EPYC „Benátky“ pro datová centra a různých procesorů orientovaných na klienty, jako jsou Apple 2025 SoC pro chytré telefony, tablety a osobních počítačů.
