domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - bipolární (BJT) - matice, předběžné > IMB9AT110
Žádost o nabídku
Čeština
6559349IMB9AT110 Image.LAPIS Semiconductor

IMB9AT110

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.116
6000+
$0.109
15000+
$0.102
30000+
$0.094
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    IMB9AT110
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    50V
  • VCE Saturation (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor Type
    2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Dodavatel zařízení Package
    SMT6
  • Série
    -
  • Resistor - emitorová základna (R2)
    47 kOhms
  • Rezistor - základna (R1)
    10 kOhms
  • Power - Max
    300mW
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SC-74, SOT-457
  • Ostatní jména
    IMB9AT110-ND
    IMB9AT110TR
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frekvence - Přechod
    250MHz
  • Detailní popis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
    68 @ 5mA, 5V
  • Aktuální - sběratel Cutoff (Max)
    500nA
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    100mA
  • Číslo základní části
    MB9
IMB3AT110

IMB3AT110

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
IMBD4148-G3-18

IMBD4148-G3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMBD4448-E3-08

IMBD4448-E3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMB5AT108

IMB5AT108

Popis: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC74

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
IMBD4448-E3-18

IMBD4448-E3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMB4AT110

IMB4AT110

Popis: TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
IMBD4448-G3-08

IMBD4448-G3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMBD4148-G3-08

IMBD4148-G3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMB36656C

IMB36656C

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST 2M

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMB36656M12

IMB36656M12

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M12

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMBD4148-HE3-08

IMBD4148-HE3-08

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMBD4148-HE3-18

IMBD4148-HE3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMBD4448-G3-18

IMBD4448-G3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě
IMB36654M8

IMB36654M8

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M8

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMB36654C

IMB36654C

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST 2M

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMB7AT108

IMB7AT108

Popis: TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SOT457

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
IMB36654M12

IMB36654M12

Popis: IPD 6.5-4MM NONSHLD 3W SPST M12

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMB36656M8

IMB36656M8

Popis: IPD 6.5-6MM NONSHLD 3W SPST M8

Výrobci: Crouzet
Na skladě
IMBD4148-E3-18

IMBD4148-E3-18

Popis: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23

Výrobci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení