domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FET, MOSFETy - Pole > MP6M12TCR
Žádost o nabídku
Čeština
3626623MP6M12TCR Image.LAPIS Semiconductor

MP6M12TCR

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    MP6M12TCR
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Vgs (th) (max) 'Id
    2.5V @ 1mA
  • Dodavatel zařízení Package
    MPT6
  • Série
    -
  • RDS On (Max) @ Id, Vgs
    42 mOhm @ 5A, 10V
  • Power - Max
    2W
  • Obal
    Original-Reel®
  • Paket / krabice
    6-SMD, Flat Leads
  • Ostatní jména
    MP6M12TCRDKR
  • Provozní teplota
    150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds
    250pF @ 10V
  • Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET Feature
    Logic Level Gate
  • Drain na zdroj napětí (Vdss)
    30V
  • Detailní popis
    Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A 2W Surface Mount MPT6
  • Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C
    5A
  • Číslo základní části
    *M12
MP6Z13TR

MP6Z13TR

Popis: TRANS NPN/PNP 50V 3A 6MPT

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
MP6KE75CAE3

MP6KE75CAE3

Popis: TVS DIODE 64.1VWM 103VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE9.1A

MP6KE9.1A

Popis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE82CAE3

MP6KE82CAE3

Popis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE91A

MP6KE91A

Popis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE91AE3

MP6KE91AE3

Popis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE9.1AE3

MP6KE9.1AE3

Popis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE82AE3

MP6KE82AE3

Popis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE91CAE3

MP6KE91CAE3

Popis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6M14TCR

MP6M14TCR

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 8A/6A MPT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
MP6KE8.2AE3

MP6KE8.2AE3

Popis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE9.1CA

MP6KE9.1CA

Popis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE8.2A

MP6KE8.2A

Popis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE8.2CAE3

MP6KE8.2CAE3

Popis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE8.2CA

MP6KE8.2CA

Popis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE82A

MP6KE82A

Popis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE82CA

MP6KE82CA

Popis: TVS DIODE 70.1VWM 113VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6KE9.1CAE3

MP6KE9.1CAE3

Popis: TVS DIODE 7.78VWM 13.4VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
MP6M11TCR

MP6M11TCR

Popis: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A MPT6

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
MP6KE91CA

MP6KE91CA

Popis: TVS DIODE 77.8VWM 125VC T18

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení