domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - můstkové usměrňovače > APT10DC120HJ
Žádost o nabídku
Čeština
4314884APT10DC120HJ Image.Microsemi

APT10DC120HJ

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
100+
$46.194
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT10DC120HJ
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE SIC SCHOTTKY 1200V SOT227
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    1.2kV
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.8V @ 10A
  • Technika
    Silicon Carbide Schottky
  • Dodavatel zařízení Package
    SOT-227
  • Série
    -
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Typ montáže
    Chassis Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Single Phase
  • Detailní popis
    Bridge Rectifier Single Phase Silicon Carbide Schottky 1.2kV Chassis Mount SOT-227
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    200µA @ 1200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    10A
APT106N60B2C6

APT106N60B2C6

Popis: MOSFET N-CH 600V 106A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100MC120JCU2

APT100MC120JCU2

Popis: MOSFET N-CH 1200V 143A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100S20LCTG

APT100S20LCTG

Popis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M09B2VFRG

APT10M09B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M07JVR

APT10M07JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60JRDQ4

APT100GT60JRDQ4

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVR

APT10M11JVR

Popis: MOSFET N-CH 100V 144A ISOTOP

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60JR

APT100GT60JR

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100GT60B2RG

APT100GT60B2RG

Popis: IGBT 600V 148A 500W SOT247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100M50J

APT100M50J

Popis: MOSFET N-CH 500V 100A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU2

APT10M11JVRU2

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT100S20BG

APT100S20BG

Popis: DIODE SCHOTTKY 200V 120A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT102GA60B2

APT102GA60B2

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11B2VFRG

APT10M11B2VFRG

Popis: MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT102GA60L

APT102GA60L

Popis: IGBT 600V 183A 780W TO264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení