domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT11GP60BDQBG
Žádost o nabídku
Čeština
1658105APT11GP60BDQBG Image.Microsemi

APT11GP60BDQBG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT11GP60BDQBG
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 600V 41A 187W TO247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    600V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.7V @ 15V, 11A
  • Zkušební podmínky
    400V, 11A, 5 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    7ns/29ns
  • přepínání energie
    46µJ (on), 90µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247-3
  • Série
    POWER MOS 7®
  • Power - Max
    187W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    PT
  • Gate Charge
    40nC
  • Detailní popis
    IGBT PT 600V 41A 187W Through Hole TO-247-3
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    45A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    41A
APT12057B2FLLG

APT12057B2FLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
APT11F80B

APT11F80B

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11N80BC3G

APT11N80BC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT1201R4BFLLG

APT1201R4BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 9A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10M11JVRU3

APT10M11JVRU3

Popis: MOSFET N-CH 100V 142A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11N80KC3G

APT11N80KC3G

Popis: MOSFET N-CH 800V 11A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT1204R7KFLLG

APT1204R7KFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT12057B2LLG

APT12057B2LLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD65KCT

APT10SCD65KCT

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11F80S

APT11F80S

Popis: MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120B

APT10SCD120B

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD65K

APT10SCD65K

Popis: DIODE SILICON 650V 17A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT12057LFLLG

APT12057LFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 22A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

Popis: MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT11GF120KRG

APT11GF120KRG

Popis: IGBT 1200V 25A 156W TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT12031JFLL

APT12031JFLL

Popis: MOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT12057JLL

APT12057JLL

Popis: MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120BCT

APT10SCD120BCT

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 36A TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT10SCD120K

APT10SCD120K

Popis: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení