domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - IGBT - Single > APT45GR65B
Žádost o nabídku
Čeština
4205793APT45GR65B Image.Microsemi

APT45GR65B

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
1+
$6.75
10+
$6.024
30+
$5.422
120+
$4.94
270+
$4.458
510+
$4.00
1020+
$3.374
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    APT45GR65B
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    IGBT 650V 92A 357W TO-247
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - kolektoru emitoru Breakdown (Max)
    650V
  • VCE (o) (Max) @ VGE, Ic
    2.4V @ 15V, 45A
  • Zkušební podmínky
    433V, 45A, 4.3 Ohm, 15V
  • Td (zapnuto / vypnuto) při 25 ° C
    15ns/100ns
  • přepínání energie
    900µJ (on), 580µJ (off)
  • Dodavatel zařízení Package
    TO-247
  • Série
    -
  • Power - Max
    357W
  • Obal
    Tube
  • Paket / krabice
    TO-247-3
  • Provozní teplota
    -
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    28 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ vstupu
    Standard
  • Typ IGBT
    NPT
  • Gate Charge
    203nC
  • Detailní popis
    IGBT NPT 650V 92A 357W Through Hole TO-247
  • Aktuální - sběratel Pulsní (ICM)
    168A
  • Proud - Collector (Ic) (Max)
    92A
APT45GP120BG

APT45GP120BG

Popis: IGBT 1200V 100A 625W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65B2DU30

APT45GR65B2DU30

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45M100J

APT45M100J

Popis: MOSFET N-CH 1000V 45A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47GA60JD40

APT47GA60JD40

Popis: IGBT 600V 87A 283W SOT-227

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
APT47M60J

APT47M60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60BD30C

APT44GA60BD30C

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120JDQ2

APT45GP120JDQ2

Popis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT46GA90JD40

APT46GA90JD40

Popis: IGBT 900V 87A 284W SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120B2DQ2G

APT45GP120B2DQ2G

Popis: IGBT 1200V 113A 625W TMAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GP120J

APT45GP120J

Popis: IGBT 1200V 75A 329W SOT227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65SSCD10

APT45GR65SSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47N60BC3G

APT47N60BC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44F80L

APT44F80L

Popis: MOSFET N-CH 800V 44A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60B

APT44GA60B

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT43M60L

APT43M60L

Popis: MOSFET N-CH 600V 45A TO-264

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47F60J

APT47F60J

Popis: MOSFET N-CH 600V 49A SOT-227

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT47N60SC3G

APT47N60SC3G

Popis: MOSFET N-CH 600V 47A D3PAK

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

Popis: IGBT 600V 78A 337W TO-247

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT45GR65BSCD10

APT45GR65BSCD10

Popis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Výrobci: Microsemi
Na skladě
APT44F80B2

APT44F80B2

Popis: MOSFET N-CH 800V 47A T-MAX

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení