domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5618
Žádost o nabídku
Čeština
4320272

JAN1N5618

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
132+
$7.713
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5618
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Peak Reverse (Max)
    Standard
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1A
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/427
  • Stav RoHS
    Bulk
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odpor při IF, F
    -
  • Polarizace
    A, Axial
  • Ostatní jména
    1086-2108
    1086-2108-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    2µs
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    8 Weeks
  • Výrobní číslo výrobce
    JAN1N5618
  • Rozšířený popis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Konfigurace dioda
    500nA @ 600V
  • Popis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    1.3V @ 3A
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io) (za Diode)
    600V
  • Kapacitní @ Vr, F
    -65°C ~ 200°C
JAN1N5621

JAN1N5621

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5621US

JAN1N5621US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5618US

JAN1N5618US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5622

JAN1N5622

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5620US

JAN1N5620US

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5616US

JAN1N5616US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5622US

JAN1N5622US

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5614US

JAN1N5614US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5616

JAN1N5616

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5615

JAN1N5615

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5614

JAN1N5614

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5611

JAN1N5611

Popis: TVS DIODE 40.3V 63.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5617US

JAN1N5617US

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5617

JAN1N5617

Popis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5619US

JAN1N5619US

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5623

JAN1N5623

Popis: DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5619

JAN1N5619

Popis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5615US

JAN1N5615US

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A D-5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5620

JAN1N5620

Popis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5612

JAN1N5612

Popis: TVS DIODE 49V 78.5V G AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení