domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > JAN1N5807
Žádost o nabídku
Čeština
5085916

JAN1N5807

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    JAN1N5807
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL
  • Stav volného vedení / RoHS
    Obsahuje olověný / RoHS neodpovídající
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    875mV @ 4A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    50V
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    30ns
  • Obal
    Bulk
  • Paket / krabice
    B, Axial
  • Ostatní jména
    1086-2123
    1086-2123-MIL
  • Provozní teplota - spojení
    -65°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Through Hole
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Stav volného vedení / RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 50V 6A Through Hole
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 50V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    6A
  • Kapacitní @ Vr, F
    60pF @ 10V, 1MHz
JAN1N5802

JAN1N5802

Popis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5806

JAN1N5806

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5816

JAN1N5816

Popis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Popis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Popis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5809

JAN1N5809

Popis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Popis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Popis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5814

JAN1N5814

Popis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Popis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Popis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Popis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5804

JAN1N5804

Popis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5772

JAN1N5772

Popis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Výrobci: Microsemi Corporation
Na skladě
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Výrobci: Microsemi
Na skladě
JAN1N5811

JAN1N5811

Popis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Výrobci: Microsemi
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení