domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Diody - Usměrňovače - Jednoduché > RS1DLW RVG
Žádost o nabídku
Čeština
3915736RS1DLW RVG Image.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1DLW RVG

Žádost o nabídku

Vyplňte prosím všechna požadovaná pole s vašimi kontaktními informacemi. Klikněte „Odeslat RFQ“, brzy vás kontaktujeme e -mailem.Nebo nám pošlete e -mail:info@ftcelectronics.com

Referenční cena (v amerických dolarech)

Na skladě
3000+
$0.066
6000+
$0.058
15000+
$0.049
30000+
$0.046
75000+
$0.043
Online poptávka
Specifikace
  • Part Number
    RS1DLW RVG
  • Výrobce / značka
  • Množství zásob
    Na skladě
  • Popis
    DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W
  • Stav volného vedení / RoHS
    Bez olova / V souladu RoHS
  • Datasheety
  • ECAD model
  • Napětí - Forward (VF) (Max) @-li
    1.3V @ 1A
  • Napětí - DC Reverse (Vr) (Max)
    200V
  • Dodavatel zařízení Package
    SOD123W
  • Rychlost
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Reverse Time Recovery (TRR)
    150ns
  • Obal
    Tape & Reel (TR)
  • Paket / krabice
    SOD-123W
  • Ostatní jména
    RS1DLW RVGTR
    RS1DLW RVGTR-ND
    RS1DLWRVGTR
  • Provozní teplota - spojení
    -55°C ~ 175°C
  • Typ montáže
    Surface Mount
  • Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Výrobní standardní doba výroby
    12 Weeks
  • Stav volného vedení / RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diode Type
    Standard
  • Detailní popis
    Diode Standard 200V 1A Surface Mount SOD123W
  • Proud - zpìtný únikový @ Vr
    5µA @ 200V
  • Proud - Průměrná Rektifikova (Io)
    1A
  • Kapacitní @ Vr, F
    -
RS1DLHRTG

RS1DLHRTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DLHMQG

RS1DLHMQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DLHMHG

RS1DLHMHG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DLHRVG

RS1DLHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1DLHRQG

RS1DLHRQG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DLHR3G

RS1DLHR3G

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DTR

RS1DTR

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA

Výrobci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na skladě
RS1DLHRHG

RS1DLHRHG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Popis:

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1DLHRFG

RS1DLHRFG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1E130GNTB

RS1E130GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1DLHMTG

RS1DLHMTG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1E180BNTB

RS1E180BNTB

Popis: MOSFET N-CHANNEL 30V 60A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1E150GNTB

RS1E150GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1E170GNTB

RS1E170GNTB

Popis: MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP

Výrobci: LAPIS Semiconductor
Na skladě
RS1DLHRUG

RS1DLHRUG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 800MA SUBSMA

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě
RS1DLWHRVG

RS1DLWHRVG

Popis: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W

Výrobci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na skladě

Review (1)

Zvolte jazyk

Kliknutím na prostor pro ukončení